Das Projekt "Praeparation von grobkoernig-polykristallinen Duennschichten fuer Solarzellen aus Silizium" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. durchgeführt. In dem vorgeschlagenen Projekt sollen fuer Solarzellen Duennschichten aus grobkoernig polykristallinem Silizium in einem Niedertemperaturprozess auf Glas, Stahlblech oder auf metallisiertem Glas hergestellt werden. Hierfuer ist ein dreistufiges Verfahren vorgesehen. In der ersten Stufe soll mit einem plasmainduzierten CVD-Prozess eine 10 nm bis 500 nm Dicke Schicht aus amorphem Silizium abgeschieden werden. Im zweiten Schritt soll diese durch Laserbestrahlung kristallisiert werden, wobei Korngroessen von ca. 100 mym angestrebt werden. In einem dritten Schritt soll auf dieser Primaerschicht durch epitaktisches Wachstum weiteres Silizium abgeschieden werden, bis die fuer kristalline Solarzellen erforderliche Schichtdicke (max. 50 mym) erreicht ist. Die Substrattemperaturen sollen waehrend des gesamten Prozesses 500 Grad Celsius nicht ueberschreiten.
Das Projekt "Duennschichtsolarzellen auf Siliziumbasis" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik durchgeführt. Die Forschungsarbeiten zielen auf die Entwicklung einer Duennschichtsolarzelle aus fein- oder polykristallinem Silizium, bei deren Herstellung konsequent Niedertemperaturtechnologien mit Prozesstemperaturen T kleiner 550 Grad Celsius zum Einsatz kommen. Zur Herstellung der photoaktiven Siliziumschichten werden Depositionstechniken verwendet, bei denen der Depositionsbereich und der Plasmabereich raeumlich getrennt sind (remote-Verfahren): Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (R-PECVD) und Remote Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (R-ECR-PECVD). Zur Herstellung der kristallinen Si-Duennschichten werden drei Wege beschritten: (1) Direkte Abscheidung; (2) Abscheidung amorpher Filme und anschliessende Temperaturbehandlung (SPC); (3) Herstellung von Keimschichten und anschliessende Verdickung durch epitaktische Abscheidung (R-ECR-PECVD)