Das Projekt "Amorphe Mischhalbleiter auf der Basis von Silizium fuer Tandemsolarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Stuttgart, Institut für Physikalische Elektronik durchgeführt. Die Abscheidung von amorphen Mischhalbleitern a-SiGe:H, a-SiSn:H und a-SiC:H(a-SiN:H) zur gezielten Einstellung des optischen Bandabstandes des Absorbermaterials erfolgt in Gleichstrom- und Hochfrequenzglimmentladungen. Die Parameter der Deposition, wie die Generation von Radikalen, deren Transport zum Substrat und die Abscheidung, werden mit optisch/spektroskopischen, massenspektrometrischen und elektrischen Verfahren analysiert. Die Korrelation der gezielt zu variierenden Depositionsparameter mit optischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften von undotierten und dotierten Schichten sowie von Barrierenstrukturen dient zur Charakterisierung der Mischhalbleiter und ihrer Optimierung fuer photovoltaische Anwendungen in Tandemsystemen.