Das Projekt "Eigenschaften von SiGe-Legierungen fuer Solarzellen, Rekombinationsaktivitaet und Versetzungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH (IHP) durchgeführt. SiGe-Legierungen gelten als moegliches Halbleitermaterial fuer Solarzellen mit verbessertem Wirkungsgrad. Aus Kostengruenden wird fuer photovoltaische Anwendungen haeufig defektreiches, multikristallines Material eingesetzt, so dass Kenntnisse zum Verhalten der Defekte von grossen Interesse sind. Ziel des Teilvorhabens war es daher, zu einem besseren Verstaendnis der Rekombinationseigenschaften von Defekten (SiGe und Si im Vergleich) beizutragen. Entwicklung und Testung von Methoden zur raeumlich aufgeloesten Materialcharakterisierung waren ebenfalls Gegenstand der Arbeiten. Es wurde nachgewiesen, dass metallische Kontamination von Defekten, insbesondere die Bildung von Metallsilicidausscheidungen, ein entscheidender Faktor fuer niedrige Lebensdauern ist. Die erzielten Ergebnisse lassen erwarten, dass sich kristallografische Defekte in SiGe mit Ge kleiner 10 Prozent aehnlich wie Defekte in Si verhalten, so dass Erfahrungen aus dem Si-Bereich auch fuer SiGe nutzbar sind.