Das Projekt "Niedertemperaturverfahren fuer Silizium-Duennschichtsolarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik durchgeführt. Das Vorhaben dient der Erarbeitung der wissenschaftlichen und technologischen Grundlagen fuer Duennschichtsolarzellen aus kristallinem Silizium. Ziel ist die Entwicklung einer Duennschichtsolarzelle aus feinkristallinem Silizium (Korngroessen 0,05-1 Mikrometer) mit einer Flaeche von 2 x 2 cm2. In einem ersten Schritt streben wir dabei eine Einfachzelle aus FC-Silizium an, die bei einer Dicke der Absorberschicht von bis zu 5 Mikrometer einen Wirkungsgrad groesser 10 Prozent besitzt. Sowohl fuer die Deposition der Absorber- und Emitterschichten als auch fuer die Zellenprozessierung werden konsequent Niedertemperaturtechnologien (T kleiner 650 Grad Celsius) eingesetzt. Die Abscheidungen der Schichten erfolgen auf kommerziell erhaeltlichen Substraten (Glaesern) mit Hilfe von Plasmadepositionstechniken (Remote Electron Cyclotron Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, R-ECR-PECVD). Die Zellenstrukturen der Duennschichtsolarzellen basieren auf Heterostrukturen.