Das Projekt "Teilvorhaben: Halbleiter-Strukturdesign, Wachstum und Charakterisierung" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Julius-Maximilians-Universität Würzburg, Physikalisches Institut, Lehrstuhl für Technische Physik durchgeführt. Im HIRT Projekt sollen erstmals innovative Infrarotdetektoren auf Basis von Resonanztunneldioden (RTD) mit Halbleitern schmaler Bandlücke in dem für die optische Sensorik wichtigen Wellenlängenbereich zwischen 1.8 Mikro m - 3.5 Mikro m realisiert und untersucht werden. Dieser spektrale Bereich umfasst die 'Fingerabdrücke' vieler chemischer Verbindungen von Gasen, Flüssigkeiten und Feststoffen und ist für die hochempfindliche Molekül- und Gassensorik von besonderem Interesse. Das Teilvorhaben der Universität Würzburg befasst sich mit dem Design, dem Wachstum und der Charakterisierung der Halbleiterschichtstrukturen (HLS), welche die Grundlage für diese neuartigen Infrarotdetektoren bilden sollen. HIRT nutzt das Resonanz-Tunneldioden (RTD-) Prinzip und weitet es auf den für die optische Sensorik wichtigen Wellenlängenbereich zwischen 1.8 Mikro m und 3.5 Mikro m aus: Die RTD dient als rauscharmer Verstärker kleinster optisch erzeugter elektrischer Signale. Um dies erfolgreich zu realisieren, müssen die Resonanztunnelstruktur (RTS, Verstärkendes Element) und Absorptionsschicht (lichtaktives Element) in ihrer jeweiligen Funktion und im Zusammenspiel miteinander optimiert werden. Das Design der Schichtstrukturen wird dabei durch Halbleiter-Simulationswerkzeuge unterstützt. Die HLS sollen mittels Molekularstrahlepitaxie atomlagengenau gewachsen werden, was besonders für die RTS kritisch ist. Die Charakterisierung der gewachsenen Strukturen erfolgt über ein großes Ensemble an Nanoanalytik-Methoden, wie beispielsweise Transmissionselektronenmikroskopie (Bildgebung der gewachsenen HLS mit subatomarer Auflösung), Sekundärionen-Massenspektrometrie (Bestimmung Dotierprofil/Zusammensetzung Verbindungshalbleiter) oder hochaufgelöste Röntgenbeugung (Kristallstruktur und Gitterkonstante).
Das Projekt "Teilvorhaben: Herstellung und Charakterisierung neuartiger Infrarot-Photodetektoren für die Laserspektroskopie" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von nanoplus Nanosystems and Technologies GmbH durchgeführt. Im HIRT Projekt sollen erstmals innovative Infrarotdetektoren auf Basis von Resonanztunneldioden (RTD) mit Halbleitern schmaler Bandlücke in dem für die optische Sensorik wichtigen Wellenlängenbereich zwischen 1.8 Mikro m - 3.5 Mikro m erforscht und untersucht werden. Dieser spektrale Bereich ist für die hochempfindliche Gassensorik von besonderem Interesse. Beispiele im Bereich Umweltanalytik und Umweltschutz betreffen bspw. das Treibhausgas Methan oder den Luftschadstoff Formaldehyd. Aber auch eine Vielzahl weiterer Anwendungen zur effizienten Prozessteuerung und zur Reduzierung von Schadstoffen profitiert von den Ergebnissen des HIRT Vorhabens. Die optische Gassensorik basierend auf Laserspektroskopie (Tunable Laser Spectroscopy - TLS) erlaubt das Detektieren selbst niedrigster Konzentrationen in Echtzeit und stellt einen rasant wachsenden Markt da. Im Rahmen dieses Projekts wird die Erforschung eines neuartigen Infrarotdetektors verfolgt: HIRT nutzt dazu das RTD-Prinzip und überträgt dieses Prinzip erstmals auf einen für TLS Anwendungen extrem wichtigen Spektralbereich. Dazu sollen RTD Strukturen auf Basis von III-V Halbleitern mit kleiner Bandlücke (Antimonide, InAs und deren Verbindungshalbleiter) untersucht werden. Die Arbeiten umfassen insbesondere Design, Herstellung und Charakterisierung neuartiger Resonanztunnelstrukturen und zugehöriger Schichtstrukturen, Untersuchung geeigneter Wachstumsverfahren zu gitterangepasstem GaInAsSb mit schmaler Bandlücke, technologische Untersuchungen zur Kombination von optisch aktiver Absorptionsschicht und als Verstärker wirkender Resonanztunnelstruktur, Erforschung geeigneter Strukturierungs- und Passivierungsverfahren, sowie die Untersuchung der neuartigen Bauelemente in TLS Anwendungsumgebung.