Das Projekt "Heterostrukturen auf Si-Basis fuer Duennschichtsolarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik durchgeführt. Das Projekt hat zum Ziel, photovoltaische Duennschichtsolarzellen auf Si-Basis herzustellen und zu untersuchen. Es soll erkundet werden, ob der Einsatz von Heterouebergaengen mit Siliziumverbindungen gegenueber der reinen Si-Zelle Vorteile bringt. Schwerpunkte der Arbeiten werden die Erprobung und Optimierung von technologischen Verfahren sowie von Materialkombinationen sein, die im Vergleich zu einkristallinen Si-Solarzelle eine Reduzierung der Herstellungskosten erwarten lassen, gleichzeitig aber einen Wirkungsgrad von groesser als 10 v.H. und eine genuegend hohe Langzeitstabilitaet gewaehrleisten. Fuer die zu realisierenden Schichtsysteme sind folgende Materialien vorgesehen: Mikrometer-Si, A-Si, M-SIC, SIOXNY, SIPOS, SIXGEY und SILIZIDE. Die Schichtabscheidung wird (neben der PVD) vor allem mit einer modernen Anlagenkonzeption der CVD erfolgen. Besondere Aufmerksamkeit soll ferner der Anwendung von Niedertemperaturverfahren (anodische Oxydation)zur Oberflaechenpassivierung gewidmet werden.
Der Satellitenpositionierungsdienst SAPOS stellt das amtliche Lagebezugssystem für die Bundesrepublik Deutschland (Koordinatenreferenzsystem ETRS89_UTM32 (Bezugssystem ETRS89 mit Abbildungsvorschrift UTM, EPSG-Code 25832, frühere Bezeichnung: Lagestatus 310)) bereit. Er besteht aus den drei Servicebereichen EPS, HEPS und GPPS.
Weitere Informationen finden Sie unter www.SAPOS.GeoNord.de