Das Projekt "Si- und SiGe-Dünnfilme für thermoelektrische Anwendungen (SiGe-TE)" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften, Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik durchgeführt. Arbeiten des MPI erfolgen in den Teilprojekten 1 und 3. Im Teilprojekt 1 werden Si/SiGe-Schichtsysteme bzw. Multischichten (Schichtperiode 10nm) hergestellt und charakterisiert. Die Proben stellen ein Modellsystem dar, aus welchem erste Elementkonzepte im Rahmen des Gesamtprojektes entwickelt werden. Im Teilprojekt 3 werden die außergewöhnlichen Eigenschaften von Versetzungsnetzwerken in Si u.a. zu einer Verringerung des spezifischen Widerstandes und zur Verminderung der thermischen Leitfähigkeit untersucht. Hierdurch kann für Si eine wesentliche Erhöhung von ZT erreicht werden, die die Verwendung als thermoelektrischer Generator ermöglicht. Im Teilprojekt 1 werden Probleme des MBE-Wachstums von Si/SiGe-Schichtsystemen analysiert und die Realstruktur der Schichten mittels elektronenmikroskopischer Methoden untersucht. Des Weiteren sollen erste thermoelektrische Messungen erfolgen. Proben werden anderen Projektpartnern zur detaillierten thermoelektrischen Charakterisierung zur Verfügung gestellt. Im Teilprojekt 3 konzentrieren sich die Arbeiten auf die Herstellung spezifischer SOI-Substrate, die Realisierung und Charakterisierung der Teststrukturen zur Analyse des Einflusses verschiedener Parameter (Dotierung, etc.) auf ZT sowie die Herstellung der Strukturen zum Funktionsnachweis eines Si-basierten thermoelektrischen Generators. In Zusammenhang mit den Partnern (BTU, IHP) wird ein Integrationskonzept erarbeitet.