Das Projekt "Evaluation des Potentials von siebgedruckten Al-p+ Emittern für hocheffiziente n-Typ Siliziumsolarzellen (ALU+)" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Solarenergieforschung GmbH durchgeführt. Ziel dieses Vorhabens ist es, das Potential von siebgedruckten AI-p+ Emittern für die Anwendung in hocheffizienten, industrienahen Solarzellen auf n-Typ CzochralskiSilizium-Wafern zu evaluieren. Die eingesetzten Prozessschritte zur Herstellung und Oberflächenpassivierung des Emitters erfolgen dabei ausschließlich mit industrienahen Prozesstechniken, wie der Siebdrucktechnik, Feuern im Infrarot-Durchlaufofen, PECVD-Abscheidung von SiN, a-Si oder SiC. Durch Implementierung des zunächst auf Teststrukturen optimierten AI-p+Emitters in Solarzellen sollen stabile Wirkungsgrade oberhalb 20 Prozent für Laborzellen (Zellfläche 4 cm2) sowie Wirkungsgrade oberhalb 18 Prozent für industrienahe, ausschließlich mit Siebdrucktechnik hergestellte Solarzellen (Zellfläche 15,6 x 15,6 cm2) auf n-Typ Cz-Si Wafern erreicht werden. Mit diesem Projekt soll die Grundlage geschaffen werden, um gemeinsam mit den Industriepartnern beurteilen zu können, ob die neu entwickelten Konzepte wirtschaftlich in eine industrielle Massenfertigung überführt werden können.
Das Projekt "Atomic Layer Deposition für die Oberflächenpassivierung von hocheffizienten Siliziumsolarzellen (ALD)" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Solarenergieforschung GmbH durchgeführt. 1. Vorhabenziel Ziel dieses Vorhabens ist es, das Potential von Aluminiumoxid-Schichten, die mit dem Atomic Layer Deposition (ALD)-Verfahren abgeschieden werden sollen, für die Oberflächenpassivierung von hocheffizienten kristallinen Siliziumsolarzellen zu evaluieren. 2. Arbeitsplanung Es soll eine ALD-Laboranlage angeschafft werden, die sowohl Abscheidungen mittels thermischer ALD als auch mit plasmaunterstützter ALD erlaubt. Die abgeschiedenen Schichten sollen bezüglich ihrer Passivierwirkung auf diffundierten und undiffundierten Siliziumoberflächen optimiert werden. Die optischen Eigenschaften der Schichten sowie das Schichtwachstum werden in-situ mit dem Ellipsometer charakterisiert. Die optimal passivierenden Schichten werden im nächsten Schritt detailliert auf ihre elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften untersucht. Es werden außerdem Stapelschichten aus Aluminiumoxid und PECVD-Siliziumnitrid und Sliziumoxid untersucht. Die so erhaltenen Passivierschichtsysteme werden in hocheffiziente Solarzellen impementiert. 3. Ergebnisverwertung Im Erfolgsfall sollen die diesem Projekt entwickelten Passivierschichten in industrielle Hocheffizienzsolarzellen implementiert werden.