Das Projekt "Teilvorhaben: Neue Verfahren zur Erhoehung der Leerlaufspannung von MIS-Inversionsschicht-Solarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Technische Universität Chemnitz, Institut für Physik durchgeführt. Fuer die Herstellung von MIS-Inversionsschichtsolarzellen wurden neue Verfahrensschritte (Rapid-Thermal-Processing) eingesetzt. Insbesondere wurden folgende Arbeiten durchgefuehrt: - Herstellung eines qualitativ hochwertigen Tunnelisolators (Si-Oxid, Si-Oxynitrid) im Temperaturbereich 700 C bis 900 C durch RTP; - Untersuchungen zum Einlegieren des Al-Rueckseitenkontaktes und die Auswirkungen auf die Parameter von MIS-Solarzellen; - Optimierung von technologischen Prozessen zur Herstellung von MIS-Zellen. Mit dieser Technologie konnten MIS-Inversionsschichtsolarzellen hergestellt werden. Dabei wurde bei der Verwendung von texturiertem Cz-Si ein Wirkungsgrad von 16,2 Prozent erreicht (I(ind=sc)=35,3 mA/cm2, U(ind=oc)=600 mV, FF= 76,4 Prozent). Mit dem Einsatz von Si-Oxynitrid als Tunnelisolator wird die Temperaturstabilitaet des MIS-Tunnelkontakts (bis zu 350 C) wesentlich verbessert.