Das Projekt "Planare III-V Quantentopfstrukturen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Berlin (Humboldt-Univ.), Institut für Physik durchgeführt. Die Ziele dieses Teilprojekts liegen in der experimentellen Untersuchung der Wirkung und den Vorteilen von hybriden III-V-Halbleiter Quantentopfsystemen für den Einsatz in Solarzellen der '3. Generation'. Die konkreten Aufgaben sind das Design sowie die Realisierung mittels 'gas-source molecular beam epitaxy' (GSMBE) solcher Strukturen. Die Quantentopf (QW) Strukturen werden designed und gewachsen für zwei Arten physikalischer Prozesse: 1. Planare QW-Strukturen, wie schon demonstriert, und 2. QW-Strukturen spezial designed und gewachsen für Mehrphotonenprozesse, um Photonen mit niedriger Energie zu verwenden und Solarzelleneffizienzen weit jenseits der Shockley Queisser-Grenze zu demonstrieren. Die Eigenschaften beider Arten von QW-Strukturen, gewachsen auf III-V Substraten sowie auf Si und/oder Ge Substraten werden verglichen. An der HUB werden unter Berücksichtigung von Quantisierungseffekten und mechanischen Spannungen im Material Modellierungen und Design geeigneter Halbleiter-Heterostrukturen und Quantum-Well-Strukturen vorgenommen. Das Wachstum von verspannten, spannungskompensierten und fehlangepassten III-V-Strukturen erfolgt mittels Gasphasen-Molekularstrahl-Epitaxie. Die Strukturen werden routinemäßig mit Röntgenbeugung vermessen, um die genauen Materialzusammensetzungen und Schichtdicken zu erhalten. Die Prozessierung zu Bauelementen beinhaltet Elektronenstrahl- sowie optische Lithographie und die elektrische Charakterisierung.