Das Projekt "Entwicklung/Umsetzung wissenschaftlicher und technischer Grundlagen für die Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen auf der Basis des a-Si:H/myc-Si:H mit der 'Hot-Wire'-Depositionstechnik II" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau, Fachbereich Physik durchgeführt. Mit umfangreichen Untersuchungen an überwiegend mikrokristallinen (my-Si) Siliziumschichten (dotierten und intrinsischen) wurden die Voraussetzungen geschaffen, myc-Si-Einzelsolarzellen sowie a-Si/myc-Si-Tandem- und Triplesolarzellenstrukturen ausschließlich mit der thermo-katalytischen oder sog. 'hot wire' (HW) CVD herzustellen. Die verschiedenen Solarzellen wurden sowohl in der Substrat (nip) - als auch in der Superstrat (pin) - Abscheidungssequenz präpariert. Das primäre Ziel des Vorhabens, einen hohen stabilisierten Wirkungsgrad von eta stabil (Einzelzelle) größer als 7 Prozent bzw. eta stabil (Tandemzelle) größer als 9 Prozent für Solarzellen zu erhalten, die mit der HWCVD auf kleinen Flächen hergestellt wurden, wurde für Einzelzelle mit eta stabil (myc-Si-nip) = 7,6 Prozent übertroffen und für Tandemzelle mit eta stabil (a-Si/myc-Si-nipnip) = 7,9 Prozent nicht ganz erreicht. Die Gründe für den geringen Zuwachs in der Tandemsolarzellenstruktur werden eingehend diskutiert. Im Rahmen der Untersuchungen zur Herstellungsreproduzierbarkeit von Si-Dünnschichtsolarzellen mit der HWCVD ist eine umfassende Studie zur Ta-Katalysatoralterung und -regenerierung durchgeführt worden.
Das Projekt "Entwicklungsarbeiten zur Photovoltaik: Grundlagen und Technologie von Duennschichtsolarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Forschungszentrum Jülich GmbH, Institut für Schicht- und Ionentechnik durchgeführt. Das Vorhaben umfasst die konsequente Fortfuehrung der Arbeiten zur Entwicklung von Materialien und Schichtstrukturen sowie von Solarzellen auf der Basis des amorphen Siliziums. Hierbei liegt der Schwerpunkt auf der Entwicklung und Optimierung von amorphen Legierungen mit unterschiedlichen Bandluecken sowie auf der Verbesserung von Grenzflaecheneigenschaften fuer den Einsatz in Tandem- und Tripelzellen mit hoeheren stabilen Wirkungsgraden. Neu aufgenommene Entwicklungsziele beziehen sich auf das Verstaendnis und die Verbesserung von mikrokristallinem Silizium. Einmal fuer den direkten Einsatz in Duennschichtsolarzellen und zum anderen als Ausgangsmaterial fuer das Wachstum von duennen polykristallinen Siliziumschichten auf Fremdsubstraten mit der Option fuer eine polykristalline Si-Duennschichtzelle. Hierfuer dienen auch Arbeiten zu Heterouebergaengen zwischen amorphen bzw. mikrokristallinem Silizium und kristallinen Si-Wafern.