Das Projekt "Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von SiCrystal AG durchgeführt. 1. Vorhabenziel Das vorgestellte Forschungsvorhaben 'Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz' ist Teil des Verbundprojektes 'Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand)' und setzt sich zum Ziel, mit einem erweiterten Grundlagenverständnis zur Defektentstehung Voraussetzungen zu schaffen, die es ermöglichen, Züchtungsprozesse zur Herstellung von 4H SiC Niedrigdefektsubstraten zu erforschen. Die Niedrigdefektsubstrate sind gekennzeichnet durch einen niedrigen Versetzungshaushalt und deutlich reduzierten Anteil an Volumendefekten, namentlich Kohlenstoffeinschlüsse. 2. Arbeitsplanung Zentraler Mittelpunkt der Projektarbeit ist das Erforschen von Zusammenhängen zur Vermeidung der Entstehung von Defekten. Wissenschaftliche Ansatzpunkte hierfür sind Untersuchungen zu thermo-mechanischen Verspannungen und Phasengleichgewicht zur Reduzierung von Versetzungen und Volumendefekten, gestützt durch ein zu erarbeitendes Modell zur Defektentstehung. Dementsprechend wurden in diesem Forschungsvorhaben 2 Arbeitsschwerpunkte definiert: AS1: Defekttheorie von SiC und Erarbeitung Charakterisierungsverfahren, AS2: Grundlagen der Züchtung von Niedrigdefektsubstraten. Im Arbeitsschwerpunkt AS3 erfolgt die Bereitstellung von 4H-SiC Substraten zur Evaluierung des Qualitätsfortschritts bei SiCrystal AG für die Projektpartner im Verbundprojekt NeuLand.