Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen^Teilvorhaben: GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler^Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie^Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen, Teilvorhaben: Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale

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