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Kostenguenstige Duennschichtsolarzellen mit hoechstem Wirkungsgrad: CIS 2000

Das Projekt "Kostenguenstige Duennschichtsolarzellen mit hoechstem Wirkungsgrad: CIS 2000" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Stuttgart, Institut für Physikalische Elektronik durchgeführt. Das Vorhaben liefert die Grundlagen fuer eine Duennschichttechnologie fuer die Herstellung von effizienten Modulen auf der Basis von Cu(In,Ga)Se2 und verwandten Materialien. Es unterstuetzt die gegenwaertigen Anstrengungen zur Umsetzung der Technologie in grossflaechige Produktionsverfahren und schafft Perspektiven fuer die langfristige Weiterentwicklung. Das Vorhaben enthaelt folgende Schwerpunkte fuer die Entwicklung hocheffizienter und kostenguenstiger Duennschichtsolarzellen: - Optimierung des Herstellungsprozesses von Hochleistungszellen (gegenwaertig 17 Prozent Wirkungsgrad) im Hinblick auf die technische Umsetzung - Entwicklung von Zellen mit hoechstem Wirkungsgrad bis 20 Prozent - Weiterentwicklung von Absorbern mit weitem Bandabstand aus CuGaSe und CuInSe unter Einbeziehung von Zink, Zinn und Antimon - Entwicklung von Verfahren zur Qualitaetskontrolle von Schichten und Solarzellen.

Herstellung und Untersuchung von beta-FeSi2-Si-Heterostrukturen fuer Anwendungen in der Photonik

Das Projekt "Herstellung und Untersuchung von beta-FeSi2-Si-Heterostrukturen fuer Anwendungen in der Photonik" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik durchgeführt. Ziel ist die Herstellung niedrig-dotierter stoechiometrischer epitaktischer beta-FeSi2-Schichten auf 111-orientiertem Si-Substrat mit Hilfe thermisch und plasmaunterstuetzter CVD-Verfahren unter Verwendung von Silan und leichtfluechtiger Eigenverbindungen sowie mit MBE-Verfahren und Sputtern von Mischtargets. Dabei soll insbesondere der Si-beta-FeSi2-Heterouebergang mit mikroanalytischen, elektrischen und photoelektrischen Verfahren charakterisiert und hinsichtlich einer moeglichst geringen Defektdichte optimiert werden. Es wird erhofft, dass sich grossflaechige Detektoren fuer Bildaufnahmesysteme vom Sichtbaren bis ins Infrarote und kostenguenstige Duennschicht-Solarzellen realisieren lassen.

Untersuchung von Eisendisilizid-(beta-FeSi2)-Duennschichten fuer PV-Anwendungen

Das Projekt "Untersuchung von Eisendisilizid-(beta-FeSi2)-Duennschichten fuer PV-Anwendungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Hahn-Meitner-Institut Berlin GmbH, Institutsteil Berlin-Adlershof, Bereich A Angewandte Physik, Abteilung Photovoltaik durchgeführt. Das Projekt zielte auf die Klaerung einer Nutzung von Eisendisilizid fuer photovoltaische Anwendungen in Heterostrukturen zum Si. Die Erwartungen gruendeten sich auf einen hohen Absorptionskoeffizienten im sichtbaren Bereich, auf die Kompatibilitaet der Herstellung mit Si-Technologie, auf die Ungiftigkeit der Komponenten und der Verbindung. Als bestes Verfahren zur Herstellung von beta-FeSi2 hat sich die Kodeposition erwiesen (Koverdampfen, MBE). Der Si-beta-FeSi2-Heterouebergang ist durch eine hohe Grenzflaechenrekombination charakterisiert, dies begrenzt in starkem Masse die open-circuit-Spannung. Ein Photoresponse der Heterouebergaenge konnte nur unterhalb 100 K beobachtet werden. Aus gegenwaertiger Sicht ist eine erfolgreiche Einbindung von beta-FeSi2 in PV-Anwendungen als gering einzuschaetzen.

Recycling von mit Elektrolyten angereicherten Galvanikspuelwaessern durch Ersatz der Cadmiumueberzuege fuer Stahlteile mit 'Protectur'-Zinkeisenueberzuegen

Das Projekt "Recycling von mit Elektrolyten angereicherten Galvanikspuelwaessern durch Ersatz der Cadmiumueberzuege fuer Stahlteile mit 'Protectur'-Zinkeisenueberzuegen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von ECKER Metalltechnik durchgeführt. Bei der Beschichtung von Werkstoffen wie Kfz-Bremsen, Stahlteilen fuer die Luftfahrt und Wehrtechnik wird erstmals Cadmium durch den Einsatz der Werkstoffkombination Zink/Eisen substituiert. Die Zink-/Eisenbeschichtung und die saure Verzinkung werden in geschlossenen Stoffkreislaeufen durchgefuehrt. Die Halbkonzentrate der 3-stufigen Spuelkaskade werden mittels Umkehrosmose aufbereitet und in das Prozessbad, das salzfreie Retentat in die letzte Stufe der Spuelkaskade zurueckgefuehrt. Verdunstungsverluste werden durch vollentsalztes Wasser ersetzt. Durch lange Standzeiten der Chromatierbaeder bei der Nachbehandlung der Zinkschichten muss die abfallintensive Entsorgung seltener durchgefuehrt werden. Die Spuelwaesser aus dem chemischen Nickelbad werden durch Umkehrosmose aufkonzentriert, Nickel wird elektrolytisch zurueckgewonnen. Das geringfuegig nickelhaltige Abwasser aus der Elektrolyse wird zur Abwasserbehandlung geleitet, wobei das Nickel im Eisen-/Chrom-Schlamm verbleibt. Die Prozessstufe galvanisch Nickel wird als geschlossenes System ausgelegt. Der Bedarf an Spuelwasser beim Verchromen ist durch eine Vierfach-Spuelkaskade gering. Zur Kuehlung der Prozessbaeder wird ein Verdunster eingesetzt. Das Konzentrat aus dem Verdunster wird in das Prozessbad zurueckgefuehrt. Das eisenhaltige Abwasser aus der Vorbehandlung (Beizen, Entzundern, Dekapiern) wird gemeinsam mit dem Abwasser aus der Vernickelung und Verchromung gereinigt, der anfallende Schlamm wird extern verwertet. Insgesamt wird der Galvanikprozess so optimiert, dass Rueckstaende vermieden oder nicht vermeidbare Rueckstaende in verwertbarer Form anfallen.

Duennschichttechnologische Erforschung und physikalisch-chemische Charakterisierung organischer und metallorganischer Schichten in Wechselwirkung mit technischen Gasen

Das Projekt "Duennschichttechnologische Erforschung und physikalisch-chemische Charakterisierung organischer und metallorganischer Schichten in Wechselwirkung mit technischen Gasen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Bekleidungsphysiologisches Institut Hohenstein durchgeführt. Das Ziel war es, preiswert herzustellende Sensoren fuer die Detektion von Perchlorethylen in und um Chemischreinigungsmaschinen zu entwickeln. Das Ziel wurde erreicht. Folgende Systeme koennen fuer sensitive Schichten verwendet werden: Kapazitaetsaenderungen und Leitfaehigkeitsaenderungen von duennen organischen Schichten, Massenaenderungen infolge der durch die Quellung aufgenommenen Loesemittelmenge mit Schwingquarzen und interferometrische Messung der Dichteunterschiede von gequollenen Schichten, insbesondere von Dimethylsiloxan.

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