Das Projekt "Teilvorhaben: Entwicklung von Ag-Sintermaterialien für die Kontaktierung von SiC Dies und Bodenplatten/Kühlkörpern" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Heraeus Materials Technology GmbH & Co. KG, Contact Materials Division, BU Assembly Materials durchgeführt. 1. Vorhabenziel Halbleiter mit hohem Bandabstand für die Anwendung nutzbar machen, in denen die aktuelle Verbindungstechnik nicht geeignet ist. Die Chipmontage auf großen Fertigungsnutzen ausführen. Die Sinterpasten und die erzeugten Sinterschichten darauf angepassten eine gleichmäßige Struktur zu ermöglichen. Ein wichtiger Aspekt ist die Anbindung an Kühlkörper. Ohne Anpassung der Materialien wird es zu großen Belastungen im Aufbau führen. Lösungsansatz ist die Reduzierung des Sinterdrucks und der Sintertemperatur, um die Ausdehnungen der Materialien zu minimieren. Die physikalischen Eigenschaften der Sinterschicht wie CTE oder E-modul werden aktiv über die Sinterpasten-Formulierung für die Anwendungen angepasst. Forschungs- und Entwicklungsarbeiten zu neuartigen Mikro m-skaligen Silberpulvern, Füllstoffen und Aktivatoren. Optimale Unterstützung der Aufbau-Technologien SKIN und Embedded Anpassung der Sinterpasten an alle vorgesehenen Auftragstechniken. Insbesondere mit Fraunhofer IZM werden entsprechende Verbindungsprozesse entwickelt. 2. Arbeitsplanung Die wesentlichen Arbeitspakete: 1. Entwicklung Pasten für reduzierten Prozessdruck und -temperatur. 2. Entwicklung Pasten für die Anbindung Kühlkörper-Bodenplatte. 3. Anpassung der Verarbeitbarkeit der in Heraeus 4.1 und Heraeus 4.2 entwickelten Materialien an die Prozesse bei IZM und Semikron. Außerdem werden entsprechend Muster für den Demonstrator-Aufbau bereitgestellt. sowie Mitarbeit bei der Konzeptionierung der Aufbauten.
Das Projekt "Teilvorhaben: Leiterplatten-Integrations-Technologie für Hochfrequenz-Hochstrom-Komponenten" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von CONTAG AG durchgeführt. 1. Vorhabenziel Es werden neue Aufbau-und Verbindungstechnologien für schnell schaltende Leistungshalbleitermodule unter Verwendung von neuen SiC-Schaltern realisiert. Damit werden die Grundlagen gelegt, um die herausragenden Eigenschaften der SiC-Halbleiter auch im höheren Leistungsbereich für die Steigerung der Energieeffizienz und der Netzqualität zu nutzen. Die bei kleineren Leistungen bereits nachgewiesenen Vorteile bezüglich Wirkungsgrad und Systemkosten sollen auch für diese Anwendungen verfügbar gemacht werden, wobei die hohen Ströme und schnellen Schaltflanken Innovationen in der AVT erfordern. Die derzeit noch höheren Kosten für diese Halbleiter werden mit höheren Schaltfrequenzen durch kleinere passive Bauteile mehr als kompensiert werden. Außerdem wird der Aufwand für Kühlung und das Gerätevolumen sinken. 2. Arbeitsplan Der Arbeitsplan von CONTAG ist Teil des gemeinsamen Arbeitsplanes des Verbundvorhabens. Der Antragsteller wird sich auf folgende Schwerpunkte konzentrieren: Design und Entwicklung von Aufbauten und Technologien; Platzierung und Montage der Chips, Einbetten, Ankontaktierung, Thermisches Management; neue Materialien (z.B. Einbettmasse für Hochtemperatureignung); neue Fertigungstechnik und Prozessanalysen (z.B. Sintertechnologie).