Vorhabenziel: Quantitative mikrostrukturelle Charakterisierung von III/V on Ge Nukleationsschichten und Heterogrenzflächen in Solarzellen Arbeitsplanung: Untersuchungsschwerpunkte dieses Teilvorhabens sind die quantitative mikrostrukturelle Charakterisierung von III/V Nukleationsschichten auf Ge-Substraten ebenso wie die Charakterisierung von ausgewählten Heteroübergängen in einer III/V Solarzelle. Als Charakterisierungsmethode wird die Transmissionselektronenmikroskopie eingesetzt. Hier werden chemisch sensitive und Schwachstrahldunktelfeldtechniken zur Sichtbarmachung von Defekten angewandt. Darüber hinaus werden Z-Kontrasttechniken verwendet, um chemische Zusammensetzungstiefenprofile mit atomarer Auflösung über innere Materialgrenzflächen zu erhalten. Zunächst werden Referenzwerte aus hydridischen Solarzellen-Standardprozessen gewonnen, die dann im Laufe des Projektes mit Daten aus hydridfreien Prozessen verglichen werden. Ziel ist die Optimierung der hydridfreien Prozesse.