Das Projekt "Fluessigphasenepitaxie von Silicium, Technologie- und Anlagenentwicklung zur Zuechtung von Si auf polykristallinem Silicium und alternativen Unterlagen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Kristallzüchtung (IKZ) im Forschungsverbund Berlin e.V. durchgeführt. Das Gesamtziel des Projektes liegt in der angewandten Forschung auf dem Gebiet der Fluessig-phasenepitaxie von Silicium. Unter Nutzung von Ergebnissen der Grundlagenforschung zur Abscheidung von Silicium auf einkristallinen Siliciumsubstraten aus dem Max-Planck-Institut Stuttgart sollte die Uebertragbarkeit auf billigere Substratmaterialien und groessere Substratabmessungen sowie die oekonomische und technische Realisierbarkeit von LPE-Techniken und Technologien untersucht werden. Die Arbeiten im Projekt konzentrierten sich auf die Schwerpunkte: 1. Abscheidung von epitaktischen Siliciumschichten auf polykristallinen Substraten. 2. Untersuchungen zur Herstellung und zum Einsatz von alternativen Unterlagen als Substrate fuer die Fluessigphasenepitaxie von Silicium. 3. Entwicklung einer Anlagenkonzeption zur Abscheidung von Epitaxieschichten auf Substratflaechen von 4.
Das Projekt "Teilvorhaben: Defekte in kristallinem Silizium - ortsaufgeloeste Untersuchungen von Korngrenzen und Versetzungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Köln, II. Physikalisches Institut durchgeführt. Im Rahmen eines Gemeinschaftsvorhabens 'Defekte in multikristallinem Silicium' soll der Einfluss von Defekten in Silicium mehrerer Hersteller und der Einfluss verschiedener Solarzellen-Technologien auf die elektrischen Eigenschaften der Solarzellen untersucht werden. An diesem Vorhaben sind sieben weitere Forschungseinrichtungen beteiligt. Mehrere Industriepartner sind assoziiert. Das II. physikalische Institut der Universitaet Koeln uebernimmt in diesem Vorhaben folgende Aufgaben: Durchfuehrung von Untersuchungen - der raeumlichen Verteilung von Versetzungen (Aetzen, TEM), - von Ausscheidungen an Versetzungen und Korngrenzen (TEM), - der Defektanreicherung an Korngrenzen und ihrer Wirkung auf die lokale Ladungstraeger-Rekombination (Korngrenzen-EBIC, Photoleitwertspektroskopie), - des Einflusses des Phosphors an Korngrenzen und im Bulk auf die Solarzellenparameter und die Korngrenzen-Eigenschaften mittels EBIC und ESR, - der elektrischen Aktivitaet von Versetzungen im korninneren in verschiedenen Ausgangsmaterialien und in prozessierten Solarzellen (EBIC).
Das Projekt "Teilvorhaben: Rekombination an Versetzungen. Fortfuehrungstitel: Multikristalline Siliciummaterialien fuer effiziente Solarzellen: Handlungs..." wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH (IHP) durchgeführt. Bei den mittlerweile erreichten Korngroessen von multikristallinem Material fuer Solarzellen haben die Defekte innerhalb der Koerner eine entscheidende Bedeutung fuer den Zellenwirkungsgrad. Es gibt deutliche Anhaltspunkte dafuer, dass insbesondere die Intragrain-Versetzungen die Zelleneffizienz signifikant reduzieren. Eine vertiefte Klaerung der Rolle der Versetzungen ist deshalb von groesstem praktischen Interesse. Im hier vorgeschlagenen Teilprojekt sind detaillierte Untersuchungen der Rekombinationseigenschaften von Intragrain-Versetzungen unterschiedlichen Zustandes beabsichtigt. Aus Gruenden der praktischen Relevanz soll dabei eine Charakterisierung der Versetzungseigenschaften unter solchen Bedingungen erfolgen, die denen im Solarzellenbetrieb entsprechen. Mit den Fortfuehrungsarbeiten sollen die Grundlagen der Wasserstoffpassivierung von relevanten Defekten in mc-Silicium erforscht werden. Dazu sind auch Experimente zur thermischen Stabilitaet der Defektpassivierung und zur Abhaengigkeit des Passivierungsverhaltens von vorhergehenden thermischen Prozessen vorgesehen. Als Ergebnis der beabsichtigten Untersuchungen werden wichtige Aussagen ueber die Wirkung von Versetzugnen erwartet; dabei insbesondere Erkenntnisse darueber, wie durch eine gezielte Beeinflussung ihrer Eigenschaften eine signifikante Steigerung der Zelleneffizienz zu erreichen ist. Ausgehend von den Ergebnissen der Laborexperimente werden Vorschlaege fuer Passivierungsbehandlungen im Zellprozess erarbeitet.
Das Projekt "Eigenschaften von SiGe-Legierungen fuer Solarzellen, Rekombinationsaktivitaet und Versetzungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH (IHP) durchgeführt. SiGe-Legierungen gelten als moegliches Halbleitermaterial fuer Solarzellen mit verbessertem Wirkungsgrad. Aus Kostengruenden wird fuer photovoltaische Anwendungen haeufig defektreiches, multikristallines Material eingesetzt, so dass Kenntnisse zum Verhalten der Defekte von grossen Interesse sind. Ziel des Teilvorhabens war es daher, zu einem besseren Verstaendnis der Rekombinationseigenschaften von Defekten (SiGe und Si im Vergleich) beizutragen. Entwicklung und Testung von Methoden zur raeumlich aufgeloesten Materialcharakterisierung waren ebenfalls Gegenstand der Arbeiten. Es wurde nachgewiesen, dass metallische Kontamination von Defekten, insbesondere die Bildung von Metallsilicidausscheidungen, ein entscheidender Faktor fuer niedrige Lebensdauern ist. Die erzielten Ergebnisse lassen erwarten, dass sich kristallografische Defekte in SiGe mit Ge kleiner 10 Prozent aehnlich wie Defekte in Si verhalten, so dass Erfahrungen aus dem Si-Bereich auch fuer SiGe nutzbar sind.