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Loesungszuechtung von kristallinen Silizium-Duennschichtsystemen auf Fremdsubstraten zur Verwendung in Solarzellen

Das Projekt "Loesungszuechtung von kristallinen Silizium-Duennschichtsystemen auf Fremdsubstraten zur Verwendung in Solarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften, Max-Planck-Institut für Festkörperforschung durchgeführt. Multikristalline Siliziumschichten hoher Qualitaet sollen mit der Methode der Fluessigphasenepitaxie auf einfach herzustellenden, preiswerten Fremdsubstraten abgeschieden werden. Als Substrate werden systematisch verschiedene Glaeser und Metalle erprobt, die mittels Ionenstrahltechniken mit duennen Bekeimungs- und Vermittlerschichten versehen sind. Alle Prozesse sollen bei Temperaturen unter 700 Grad Celsius durchgefuehrt werden. Moeglichkeiten zur Verarbeitung der so gewonnenen Schichtsysteme zu Solarzellen hoher Effizienz werden untersucht. Der Schichtaufbau enthaelt die Kontaktierung und Verschaltmoeglichkeit der Zellen. Umfangreiche Charakterisierungen, insbesondere mit elektronenmikroskopischen, aber auch optischen und elektrischen Methoden, ermoeglichen die Beurteilung der hergestellten Systeme und ihre Tauglichkeit fuer Solarzellen.

Duennschichtsolarzellen auf der Basis elektronenstrahlrekristallisierter und durch Fluessigphasenepitaxie verstaerkter Siliziumschichten auf Graphitsubstraten

Das Projekt "Duennschichtsolarzellen auf der Basis elektronenstrahlrekristallisierter und durch Fluessigphasenepitaxie verstaerkter Siliziumschichten auf Graphitsubstraten" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Technische Universität Hamburg-Harburg, Forschungsschwerpunkt 02, Arbeitsbereich Halbleitertechnologie durchgeführt. Ziel des Vorhabens ist die Entwicklung eines kostenguenstigen Verfahrens zur Herstellung von Siliziumduennschichtsolarzellen auf Graphitsubstraten mit hohem Wirkungsgrad. Dazu ist zunaechst eine Hochratenabscheidung von duennen Siliziumschichten mit einem PECVD-Verfahren aus Silan zu entwickeln, die anschliessend in einem Elektronenstrahlrekristallisationsverfahren innerhalb weniger Sekunden zu grosskristallinen orientierten Siliziumschichten umkristallisiert werden. Darauf soll mit LPE-Verfahren die aktive Schicht aufgebracht und durch LPE oder Dotierung die Solarzelle vervollstaendigt werden. Hierzu ist eine enge Zusammenarbeit mit dem IZL, Berlin (LPE) und Siemens, Muenchen, Solarzellen vorgesehen. Die Zellen sind durch mikroanalytische, elektronische und solarzellenspezifische Verfahren zu analysieren. Ziel ist die Erzeugung einer kostenguenstigen Zelle mit einem Wirkungsgrad von ca 15 Prozent bis einer Flaeche von ca 10 x 10 cm2.

Fluessigphasenepitaxie von Silicium, Technologie- und Anlagenentwicklung zur Zuechtung von Si auf polykristallinem Silicium und alternativen Unterlagen

Das Projekt "Fluessigphasenepitaxie von Silicium, Technologie- und Anlagenentwicklung zur Zuechtung von Si auf polykristallinem Silicium und alternativen Unterlagen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Institut für Kristallzüchtung (IKZ) im Forschungsverbund Berlin e.V. durchgeführt. Das Gesamtziel des Projektes liegt in der angewandten Forschung auf dem Gebiet der Fluessig-phasenepitaxie von Silicium. Unter Nutzung von Ergebnissen der Grundlagenforschung zur Abscheidung von Silicium auf einkristallinen Siliciumsubstraten aus dem Max-Planck-Institut Stuttgart sollte die Uebertragbarkeit auf billigere Substratmaterialien und groessere Substratabmessungen sowie die oekonomische und technische Realisierbarkeit von LPE-Techniken und Technologien untersucht werden. Die Arbeiten im Projekt konzentrierten sich auf die Schwerpunkte: 1. Abscheidung von epitaktischen Siliciumschichten auf polykristallinen Substraten. 2. Untersuchungen zur Herstellung und zum Einsatz von alternativen Unterlagen als Substrate fuer die Fluessigphasenepitaxie von Silicium. 3. Entwicklung einer Anlagenkonzeption zur Abscheidung von Epitaxieschichten auf Substratflaechen von 4.

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