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Duennschicht-Solarzellen aus amorphem Silizium - Photo CVD

Das Projekt "Duennschicht-Solarzellen aus amorphem Silizium - Photo CVD" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Frankfurt, Institut für Physikalische und Theoretische Chemie durchgeführt. Die heutigen Methoden zur Abscheidung von amorphem Silizium basieren fast ausschliesslich auf dem Verfahren der Plasma CVD. Der Antrag hat die Entwicklung eines Verfahrens zur Herstellung von Schichten mit Hilfe von photochemischer Zersetzung der Ausgangssubstanzen zum Ziel. Bei diesem Verfahren spielt die Quantenenergie des Lichtes eine entscheidende Rolle. Da die photochemische Zersetzung ueber die elektronische Anregung der Molekuele verlaeuft, liegen die Quantenenergien im UV bzw Vacuum UV. Das Verfahren sieht vor, verschiedene Lichtquellentypen zu Photo CVD zu benutzen. Wegen der Selektivitaet photochemischer Prozesse ist damit zu rechnen, dass durch die beabsichtigte Ausnutzung laserdiagnostischer Methoden eine gezielte Studie des Mechanismus der entscheidenden Schritte des Abscheidungsprozesses und eine Untersuchung der den Schichtaufbau im wesentlichen tragenden Intermediaten gemacht werden kann.

Entwicklung von Duennschichtsolarzellen fuer Tandemsysteme auf der Basis von Verbindungshalbleitern

Das Projekt "Entwicklung von Duennschichtsolarzellen fuer Tandemsysteme auf der Basis von Verbindungshalbleitern" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Universität Stuttgart, Institut für Physikalische Elektronik durchgeführt. Amorphe Mischhalbleiter auf der Basis von Silizium fuer Tandemsolarzellen. Die Praeparation von amorphen Mischhalbleitern a-Sige:H, a-Sisn:H und a-Sic:H (a-Sin:H) zur gezielten Variation des Bandabstandes erfolgt mit DC- und RF-Glimmentladungen. Die Korrelation von Depositionsparametern mit Halbleiterkenngroessen ermoeglicht die Optimierung bezueglich geringer Zustandsdichte im GAP und effizienter Dotierbarkeit und somit die Realisierung von P-I-N-Barrierenstrukturen. Die Analysen von optischen, elektronischen und strukturellen Eigenschaften von Schichten, Barrieren und Solarzellen mit verschiedenen Bandabstaenden dient zur Beurteilung der Eignung der einzelnen Mischhalbleiter fuer photovoltaische Tandemsysteme.

Siliciummaterialentwicklung fuer terrestrische Solarzellen

Das Projekt "Siliciummaterialentwicklung fuer terrestrische Solarzellen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Heliotronic, Werk Burghausen durchgeführt. Ueber einen von urspruenglich 8 auf 12 Jahre erweiterten Zeitraum soll die Entwicklung kostenguenstiger Verfahren zur Herstellung grossflaechiger multikristalliner Scheiben weiter betrieben werden. Teilschritte hierzu sind: Neuartige Wege zur Raffination von Rohsilicium bzw. Reduktion von Quarz, die Kristallisation multikristalliner Bloecke und das neuartige Zersaegen dieser Bloecke in Scheiben bzw. alternativ dazu das Giessen von multikristallinen Folien gleicher Art direkt aus der Schmelze. Das obengenannte Ziel ist den Forderungen des Solarzellenherstellers nach selbsttragenden, rechteckigen Siliciumscheiben angepasst. Der photovoltaische Wirkungsgrad der daraus hergestellten Solarzellen soll dabei moeglichst nicht unter 10 v.H. (AM1) liegen. Eine Preisreduktion auf weniger als 2 Pfg./cm2 auf der Basis heutiger Randbedingungen wird als erreichbar angesehen.

Duennschichtsolarzellen aus gesputtertem amorphen Silizium oder Siliziumlegierungen

Das Projekt "Duennschichtsolarzellen aus gesputtertem amorphen Silizium oder Siliziumlegierungen" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau, Fachbereich Physik durchgeführt. Ziel dieses Erweiterungs- und Fortsetzungsantrages ist es, im Rahmen der Moeglichkeiten, die in einer Uni-Forschungsstaette gegeben sind, zu zeigen oder auszuschliessen, dass mit der Sputtertechnologie ein dem Glimmentladungsverfahren gleichwertiges a-Si:H-Material abgeschieden werden kann, mit dem Solarzellenstrukturen realisiert werden koennen, die aehnliche Wirkungsgrade wie Glimmentladungssolarzellen erwarten lassen. Es soll weiterhin nachgewiesen werden, dass mit der Sputtertechnologie die Praeparation von heterogenen oder Tandemsolarzellen moeglich ist und der Sputterprozess kostenguenstig und technologisch attraktiv durchgefuehrt werden kann. Zu diesem Vorhaben gehoeren auch grundlegende Untersuchungen zum Verstaendnis der Struktur und der elektrischen Eigenschaften von amorphem Silizium und Siliziumlegierungen, wie sie fuer die Anwendung der Materialien von Bedeutung sind, die aber von der Industrie aus verschiedenen Gruenden oft nicht durchgefuehrt werden koennen.

Herstellung von Siliciumscheiben fuer Solarzellen aus Siliciumtetrachlorid durch Reduktion mit Aluminium

Das Projekt "Herstellung von Siliciumscheiben fuer Solarzellen aus Siliciumtetrachlorid durch Reduktion mit Aluminium" wird vom Umweltbundesamt gefördert und von Bayer AG durchgeführt. Entwicklung eines technischen Verfahrens, um ein fuer Solarzellen geeignetes Silicium kostenguenstiger herstellen zu koennen als das heute verwendete Halbleitersilicium: - Aufbau einer Technikumsanlage zur Umsetzung von SiCl4 mit al im Drehrohr (Durchmesser 250 mm, 1=5,40m, max 10 jato Si) - Reinigung von SiCl4 durch Adsorption, Pyrolyse und Destillation im kontinuierlichen Betrieb - Reinigung des Si-Pulvers und Optimierung der dafuer geeigneten Verfahren wie hydrometallurgische und pyrometallurgische Reinigungsschritte sowie Vakuumbehandlung hinsichtlich Durchsatz und Kosten - Herstellung von Si-Bloecken durch Giessen bzw. gerichtete Kristallisation - Installation der notwendigen Saegekapazitaeten, um Scheiben als Prototypen an Interessenten liefern zu koennen - Charakterisierung der Si-Scheiben, um das Gesamtverfahren zu optimieren, durch Analytik, elektrische Messungen (spezifischer Widerstand, Diffusionslaenge) und evtl. Ir-Spektroskopie usw....

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