Ziel dieses Projektes ist die Weiterentwicklung der MOCVD-Technologie zur kostengünstigen Herstellung von Bauteilen für die Leistungselektronik aus Verbindungshalbleitern. Die neuartigen Leistungstransistoren auf Basis von Galliumnitrit (GaN) tragen zur Minimierung der elektrischen Verlustleistung in dezentralen Energieversorgungssystemen bei. Die Reduzierung von Energieverlusten in elektrischen Anwendungen und die Kostenreduktion und Qualitätsverbesserung bei der Herstellung der Bauelemente durch Einsatz von neuartigen Industrie 4.0 Konzepten stehen dabei im Vordergrund. Generell befindet sich die GaN-Technologie für Anwendungen in der Leistungselektronik noch in einem vergleichsweisen frühen Stadium mit daher enormem Verbesserungspotenzial. Der Einsatz von Industrie 4.0 Verfahren könnte zu einem signifikanten Sprung in der Qualitätsverbesserung der Wafer und der Wirtschaftlichkeit der Waferherstellung führen und der deutschen Industrie zu erheblichen Wettbewerbsvorteilen verhelfen. Verbesserte Mess- und Analysemethoden, Digitalisierung der Produktion und ein verbessertes Verständnis der Prozesse durch verbesserte Algorithmen bei der Datenanalyse bilden den Ansatz für die zu erforschenden Verbesserungen. Im Projekt führt die Zusammenarbeit von universitärer Forschung, öffentlichen Forschungsinstituten und der Industrie zu positiven Synergieeffekten zwischen Anlagenbau, Software, Messtechnik, Grundlagenforschung und modernen Methoden der Datenverarbeitung.