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Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern, Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie

Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie^Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen, Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen

Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus), Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern

Teilvorhaben: Technologie- und Bauelementeentwicklung sowie Assessment von SiC und GaN/Si-Bauelementen^Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf der Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand)^Teilvorhaben: Defektreduzierte 4H-SiC-Wafer für Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz^Teilvorhaben: MOVPE-Schichttechnologie für Leistungsdioden und Leistungsschalter^Teilvorhaben: Erforschung einer MOCVD-Technologie für die industrielle Herstellung von GaN-basierten HV-Bauelementen für die Leistungselektronik, Teilvorhaben: Fertigungstechnologie für Leistungsdioden und Leistungsschalter in GaN-auf-Silizium Technologie

Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie, Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen

Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen^Teilvorhaben: Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale^Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie^Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen, Teilvorhaben: Photovoltaik-Wechselrichter auf Basis von GaN-Schalttransistoren

Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen^Teilvorhaben: GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler^Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie^Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen, Teilvorhaben: Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale

Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus), Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik

Teilvorhaben: GaN-Epitaxie und Technologie für Leistungswandler von Morgen^Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotenziale (PowerGaNPlus)^Teilvorhaben: Grundlagenuntersuchungen zu GaN Transistoren für die Leistungselektronik^Teilvorhaben: Packaging für leistungselektronische Bauteile mit GaN-Halbleitern^Teilvorhaben: Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie^Teilvorhaben: Charakterisierung und Validierung von GaN-basierten Leistungswandlern für zukünftige automobile Applikationen, Teilvorhaben: GaN Dioden und selbstsperrende GaN Schalttransistoren für effiziente Leistungswandler

Förderschwerpunkt mobileGaN - Teilvorhaben: Evaluation von High Power Rekonfigurationselementen in 'GaN-on-Si' Technologie für den Einsatz in rekonfigurierbaren Multiband-Endstufen im Mobilfunk.

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